方向一：抗辐射分立器件研制，立足我国电子元器件工艺生产线，系统揭示器件结构和工艺参数对辐射损伤的影响规律，阐明基于器件结构、工艺及版图进行抗辐射加固的原理与途径，建立电子元器件抗辐射正向加固技术途径，研制KFS产品。
方向二：抗辐射数字单元库研发，围绕纳米级体硅CMOS先进工艺节点(28nm)典型数字单元电路抗加设计开展研究，主要开展以下几个方面的研究工作，包括：(1)纳米级体硅CMOS先进工艺节点(28nm)半导体器件和电路中单粒子等辐照损伤物理过程、辐照效应精确数值模拟及模型研究；(2)明晰纳米级体硅CMOS先进工艺节点(28nm)SEE软错误产生的物理机制，揭示电路级软错误规律；(3)纳米级体硅CMOS先进工艺节点(28nm)单元电路的新型抗辐照加固拓扑结构、版图技术研究；抗加标准数字单元库的开发。
